Electrical,
eléctrico; electrical angle, ángulo eléctrico;
electrical center, centro eléctrico; electrical
conductivity, conductividad eléctrica; electrical
control, mando eléctrico; electrical degree, grado
eléctrico; electrical modulation, modulación
eléctrica; electrical monitoring, testificación eléctrica
(sondeos); electrical precipitation, precipitación
eléctrica; electrical transcription, registro eléctrico;
electrical twinning, maclado eléctrico (cristales)
.


Fig.
: Conversion between Electrical Systems - Conversión
entre sistemas eléctricos.
|
Electricalization,
electrizacion. |
Electrically
-erasable programmable read-only memory, memoria
de solo lectura programable, eléctricamente borrable
(EEPROM) (Electrónica - Electronics ), Una memoria
de sólo lectura no volátil con estructura MOSFET
en la que los datos almacenados se pueden alterar repetidas
veces por parte del usuario, bien sea en la memoria completa
o en una parte.
Los
datos se pueden borrar y reprograrnar nuevamente utilizando
un principio conocido como algoritmo de Fowler-Nordhein. Para
ello se necesita aplicar una tensión superior a la
normal, que puede ser de 20V, pero sin necesidad de mover
la memoria de su sitio (en esto se diferencian de las memorias
EPROM, que tienen que reprogramarse en un dispositivo especial).
Normalmente la tensión de alimentación es de
5V. Las primeras EEPROMs utilizaban una estructura metal-nitrido-óxido
semiconductor (MNOS), como la que se muestra en la figura
;

Fig.
Sección transversal de una memoria MNOS.
Aplicando
una tensión elevada a la puerta, la carga puede generar
un túnel en ella y quedar atrapada en la interfaz dióxido
de silicio-nitrido. Así permanece debido al alto aislamiento
de puerta, controlando la conductividad del canal tal como
se ha descrito para las memorias EPROM. Las EEPROMs actuales
utilizan la estructura de puerta flotante de la figura siguiente,

Fig.
Sección transversal de una memoria EEPROM.
reduciéndose
el espesor de la capa comprendida entre la puerta y el sustrato
a un valor muy pequeño para permitir así el
movimiento bidireccional de la carga a través del túnel.
Entonces el proceso de borrado se puede llevar a cabo aplicando
una tensión elevada a la puerta, lo que hace que el
umbral suba a 6V, de tal forma que la EEPROM es ahora insensible
a la tensión normal de trabajo.
La
escritura se realiza invirtiendo la polaridad de la tensión
de borrado para neutralizar la carga acumulada en la puerta
flotante. Esto reduce el umbral a un valor inferior a la tensión
normal de trabajo y por tanto la EEPROM puede responder. La
célula de memoria está constituida por dos transistores,
uno de selección y otro de almacenamiento, tal como
se ha descrito anteriormente. |
| Electrically
alterable read only memory, memoria de sólo
lectura eléctricamente alterable (Electrónica
- Electronics ), (EAROM) See: memoria de sólo
lectura programable, eléctricamente borrable (Electrically
-erasable programmable read-only memory) . |
Electrically,
eléctricamente; electrically operated, electroaccíonado;
electrically strained, sometido a un esfuerzo
eléctrico.
|
Electricals,
aparatería eléctrica.
|
Electrician,
electricista.
|
Electricity,
electricidad; electricity in motion, electricidad
dinámica; electricity works, central eléctrica; atmospheric
electricity , electricidad atmosférica; dynamic electricity,
electricidad dinámica; magneto electricity , electricidad
magnética; negative electricity , electricidad negativa;
positive electricity , electricidad positiva; static
electricity , electricidad estática.  |
Electrification,
electrificación, electrización; bound electrification
, electricidad latente; railroad electrification
, electrificación de los ferrocarriles; rural
electrification , electrificación rural. |
Electrify
(To), electrificar, electrizar.
|
Electrizability,
electrizabilidad.
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