Figura: Estructura de los transistores bipolares (a) pnp (b) npn

Esencialmente el dispositivo se comporta como dos uniones pn en serie, polarizándose en directo la unión base-emisor (y por tanto presentando baja resistencia) y en inverso la unión colector-base (alta resistencia), para el modo normal o activo de funcionamiento En el transistor npn (b), la corriente que atraviesa la unión base-emisor está constituida por electrones inyectados desde el emisor y huecos desde la base, como se explica en el término unión ( junction ). Sin embargo la concentración de impurezas en la región de emisor es considerablemente mayor que la de la base, por lo que el número de electrones excede al de huecos. Al alcanzar los electrones la región de base, unos pocos la abandonan a través del terminal de conexión constituyendo la corriente de base. Sin embargo la mayoría de ellos atraviesa la muy delgada región de base, alcanzando la región de colector atraídos por su polarización positiva y generando una considerable corriente de colector externa, a pesar de que la unión de colector-base está polarizada en inverso. La corriente de colector (salida) puede ser cien veces mayor que la corriente de base (entrada). Esta amplificación es el fundamento de actuación del transistor. En el transistor pnp de la figura (a), los huecos que atraviesan la unión base-emisor exceden en número a los electrones, siendo también la corriente de colector externa muy superior a la corriente de base. En ambos tipos de transistor, los electrones y huecos intervienen en el proceso de amplificación, lo que justifica la descripción bipolar. Normalmente se considera a los transistores bipolares como amplificadores de corriente debido a su baja resistencia de entrada y alta de salida . En la figura siguiente se muestran los símbolos gráficos de los transistores bipolares npn y pnp

Figura: Símbolos gráficos de los transistores bipolares (a) pnp y (b) npn

Cuando se añade otra capa a un diodo semiconductor, formando dos junturas, el dispositivo así armado se denomina transistor bipolar. Las tres regiones del mismo se denominan emisor, base y colector conforme a la figura siguiente. En el funcionamiento normal, la juntura emisor base se polariza en sentido directo y la juntura colector base recibe polarización inversa .

Se utilizan distintos símbolos para representar los transistores n-p-n y p-n-p, con el objeto de mostrar la diferencia del sentido de circulación de la corriente en uno y otro tipo de dispositivo. En el transistor n-p-n mostrado en la figura b, los electrones fluyen desde el emisor al colector; en el tipo p-n-p, figura c, lo hacen del colector al emisor. En otras palabras, la dirección de la corriente continua electrónica es siempre opuesta a la de la flecha dibujada sobre la conexión de emisor (como en el caso de los diodos, la flecha indica la dirección del "flujo convencional de corriente" en el circuito).

Figura : Diagrama funcional y simbolos esquemáticos de los transistores.

Las dos primeras letras de las designaciones n-p-n y p-n-p indican las respectivas polaridades de las tensiones aplicadas al emisor y al colector en condiciones normales de funcionamiento. En un transistor n-p-n el emisor se hace negativo con respecto al colector y a la base, siendo el colector positivo con respecto a la base y al emisor. En un transistor p-n-p el emisor se hace positivo tanto con respecto al colector como a la base, mientras que el colector debe ser negativo con respecto a los dos electrodos restantes.

El transistor, que constituye un dispositivo de tres elementos, puede usarse para una amplia variedad de funciones de control incluyendo amplificación, oscilación y conversión de frecuencia .

Bipolar, Bipolar. Tecnología utilizada en la fabricación de transistores y circuitos integrados, que funcionan con base en la unión de material semiconductor tipo N con material tipo P. Dispositivo hecho con diodos NP y transistores NPN o PNP. Tecnología de transistores anterior a la técnica MOS (semiconductor de óxido metálico). Bipolar significa "dos polos", y se emplea el vocablo para distinguir a los primeros transistores de los posteriores de efecto de campo (FET) MOS, que se caracterizan por tener solamente un polo. En un FET, el flujo de corriente de portadores mayoritarios tiene lugar en un solo sentido (por ejemplo, de fuente a drenador - de source a drain), mientras que en un transistor bipolar, la corriente de la zona de emisor se bifurca a los otros dos terminales (polos), base y colector ; bipolar electrode, electrodo bipolar

El transistor de efecto de campo (TEC) (Field Effect Transistor, FET) es otro dispositivo de estado sólido que se utiliza cada vez más en circuitos electrónicos. Su principio de funcionamiento es distinto al de los transistores comunes o bipolares, ya que el flujo de corriente se controla mediante la variación de un campo eléctrico establecido por una tensión de control, y no mediante la variación de una corriente inyectada en el terminal de base. Los transistores de efecto de campo tienen muchas características similares a las de las válvulas de vacío, aunque reteniendo las principales ventajas de los dispositivos de estado sólido (tamaño reducido, bajo consumo de potencia, y estabilidad mecánica). En base a diferencias estructurales y funcionales, estos transistores se clasifican en TEC de juntura (JFET - Junction Field Effect Transistor) y de compuerta aislada (MOS - Metal-óxido-semiconductor). Si bien en ambos casos la corriente de conducción resulta controlada por un campo eléctrico, las características eléctricas de ambos tipos de dispositivos difieren sustancialmente.