Fig. Estructura simplificada canal de un transistor DMOS. Tiene una región p muy pequeña, y el canal formado en la parte superior de la misma, bajo el contacto de puerta, es mucho más corto que en los primeros tipos de transistor de puerta aislada . En la figura siguiente, por ejemplo, el canal ocupa toda la distancia lateral entre las dos regiones n.

Fig. Diagrama simplificado que muestra la estructura de un transistor de efecto base p de campo de puerta aislada de canal n. La longitud del canal determina la resistencia drenador-fuente en el estado de conducción y la velocidad con que la corriente de drenador puede conmutarse del estado de conducción al de no conducción, siendo preciso un canal corto para lograr baja resistencia y alta velocidad . La corriente que circula en un transistor de doble difusión es lateral, como en los primitivos transistores de efecto de campo, pero en otros transistores de canal corto, como los TMOS y VMOS, la corriente circula a través del espesor de la oblea, como en los transistores bipolares planares