Field effect transistor (FET), transistor de efecto de campo (Electrónica - Electronics ), Un transistor que consiste esencialmente en un canal de material semiconductor, cuya resistencia se puede controlar mediante la tensión aplicada a uno o más terminales de entrada (puertas). Es un semiconductor que tiene características similares a las de un tubo de vacío. Una característica del FET es que la resistencia de entrada en la puerta es muy elevada, por lo que la corriente a través de ella es despreciable. Por otra parte, los FETs son dispositivos controlados por tensión, propiedad que comparten con los tubos electrónicos. Los FETs se diferencian de los transistores bipolares en que la corriente de salida se debe solamente a un tipo de portadores de carga, p. ej., electrones, en dispositivos de canal n. Ver también : transistor de efecto de campo de puerta aislada, transistor de efecto de campo de puerta de unión.

El transistor de efecto de campo (TEC) (Field Effect Transistor, FET) es otro dispositivo de estado sólido que se utiliza cada vez más en circuitos electrónicos. Su principio de funcionamiento es distinto al de los transistores comunes o bipolares, ya que el flujo de corriente se controla mediante la variación de un campo eléctrico establecido por una tensión de control, y no mediante la variación de una corriente inyectada en el terminal de base. Los transistores de efecto de campo tienen muchas características similares a las de las válvulas de vacío, aunque reteniendo las principales ventajas de los dispositivos de estado sólido (tamaño reducido, bajo consumo de potencia, y estabilidad mecánica). En base a diferencias estructurales y funcionales, estos transistores se clasifican en TEC de juntura (JFET - Junction Field Effect Transistor) y de compuerta aislada (MOS - Metal-óxido-semiconductor). Si bien en ambos casos la corriente de conducción resulta controlada por un campo eléctrico, las características eléctricas de ambos tipos de dispositivos difieren sustancialmente.

La figura siguiente indica los símbolos circuitales para TEC de juntura de canal N y canal P.

Figura . Símbolos circuitales para transistores de efecto de campo de juntura (TECJ).

Los electrodos de compuerta, fuente y drenaje son equivalentes, respectivamente, a los terminales de base, emisor y colector de los transistores bipolares. Mediante una tensión de señal aplicada al electrodo de compuerta se controla la conductividad de la capa semiconductora inmediatamente adyacente a la misma, entre los terminales de emisor y drenaje. El tipo de canal N análogo a un transistor bipolar NPN, funciona con tensión de drenaje positiva respecto de la fuente. En el símbolo esquemático, esta polaridad queda indicada mediante una flecha en el terminal de compuerta, que apunta hacia adentro del dispositivo. El potencial de drenaje para los tipos de canal P, análogos a los transistores bipolares PNP, es negativo respecto a la fuente. En el símbolo esquemático correspondiente, la flecha del terminal de compuerta apunta hacia afuera del dispositivo.

En la figura siguiente se muestran circuitos para transistores de efecto de campo tipo MOS (de compuerta aislada), de canal N y canal P y en sus dos clases diferentes, vale decir de estrechamiento y de ensanchamiento. La flecha utilizada anteriormente en el terminal de compuerta para indicar la polaridad del dispositivo (canal N o canal P) aparece ahora en el terminal de sustrato con la misma convención. Dicho terminal está conectado internamente al sustrato o "masa" de material semiconductor sobre el cual se forma el transistor.

Figura : Simbolos circuitales para transistores de efecto de campo de metal-óxido semiconductor (MOS).

La tecnología de los transistores MOS es más versátil que la de los TEC de juntura . Se han diseñado categorías específicas de estos dispositivos con características especiales para aplicaciones lineales (analógicas) y digitales. Por ejemplo, los tipos de estrechamiento se usan frecuentemente en los circuitos lineales; y los de ensanchamiento resultan ideales para las aplicaciones digitales. Un TEC tipo MOS de ensanchamiento equivale a una llave "normalmente abierta", según indica el símbolo esquemático en trazos interrumpidos del circuito fuente-drenaje. En cambio los tipos de estrechamiento son normalmente conductores y en el símbolo esquemático el camino de fuente a drenaje está en trazo continuo. La tecnología de los TEC de tipo MOS de ensanchamiento se usa cada vez más en la fabricación de circuitos integrados para aplicaciones digitales, particularmente en los de gran escala (LSI/ Large Scale Integration).

Fig. Forma de onda de una señal de sincronismo de campo.